崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)SiC基功率器件(MOS、SBD)的工藝開發(fā)、調(diào)試及加工工作;
2、協(xié)同完成器件設(shè)計(jì)、封裝等設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的工藝設(shè)計(jì)相關(guān)工作;
3、負(fù)責(zé)對(duì)SiC基功率器件的加工工藝問題進(jìn)行跟進(jìn)、分析及驗(yàn)證,解決工藝問題。
任職要求:
1、本科及以上學(xué)歷,半導(dǎo)體物理、微電子、材料等相關(guān)專業(yè);
2、3年以上SiC基半導(dǎo)體工作經(jīng)驗(yàn),熟悉刻蝕、柵氧、離子注入或者金屬化相關(guān)工藝,精通某項(xiàng)工藝經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
3、工作認(rèn)真嚴(yán)謹(jǐn),具備較強(qiáng)的責(zé)任心,注重細(xì)節(jié);
4、樂于接受新事物,具備較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力及團(tuán)隊(duì)意識(shí)。