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一、任職要求：

1.學歷：碩士及以上學歷，微電子、光學工程、物理、材料等相關專業。

2.工作經驗：

1)5 年以上半導體工藝整合/研發經驗，必須具備 12 英寸晶圓廠 40nm 及以下節點實戰經驗。

2)至少主導過 Contact/Via/Hole 模塊中任一環節的工藝開發（OPC、光刻、刻蝕、ALD 填充、

CMP）。

3)熟練使用檢測分析工具：SEM/TEM 剖面分析、EDX 成分檢測、缺陷掃描（KLA）等。

4)有 OPC/DUV immersion 工藝經驗者優先考慮。

3.具備能力：

1) 具備 DOE 設計及數據分析能力（JMP/JMP Pro 優先）。

2) 出色的跨部門協作與風險預判能力，能主導技術難題攻關。

二、崗位職責：

1. 高深寬比通孔技術開發：

1)主導 40nm 及以下節點的高深寬比的 Contact/Via/Hole 工藝整合研發。

2)優化光刻-刻蝕-填充-平坦化全流程工藝，解決關鍵缺陷（孔洞、縫隙、過度侵蝕等）。

2. 工藝窗口提升：

1)設計 DOE 實驗，協同 OPC、光刻、刻蝕、薄膜、CMP 團隊，提升高深寬比通孔的均勻性、

良率及可靠性。

3. 跨部門技術整合：

1)與器件研發團隊合作，優化 Contact/Via/Hole 結構，從而滿足器件性能指標。

2)協同設計部門制定 Design Rules。

4. 量產轉移支持：

1) 主導新工藝從研發線向量產線的轉移，建立管控標準（SPC）和故障分析流程。

三、福利待遇：

1、行業有競爭力的薪酬（具體薪資面談）；

2、五險一金，國家法定假期，不定期團建活動、年度體檢、節日禮品、生日禮金等；

3、行業內專家學者定期座談、交流和培訓，提升專業能力和綜合素養；

4、崗位具有較大晉升空間，如工作表現達到公司預期，優先獲得公司股權激勵等。