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北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經濟技術開發區成立。作為產學研合作平臺，研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發和高端人才培養，致力于實現國產存儲器芯片制造技術的持續迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術創新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮，在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域，對未來DRAM量產技術可能存在的主要路徑開展系統的工藝研發和設計-制造協同優化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術；基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內計算等芯片的設計和制造；以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發所需的硬件條件，包括傳統的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝；設計制造協同優化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設計研發經驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內外領先的高校院所和集成電路行業領軍企業建立了緊密的合作關系，開展基于項目的研發合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯合培養方面開展了系統而緊密的合作，為產業研究生的培養提供了研發和實訓平臺。