職位描述
電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé):
1.負(fù)責(zé)新型晶體管器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計，電學(xué)特性仿真。
2.負(fù)責(zé)工藝仿真模擬，包含虛擬光刻，虛擬刻蝕，虛擬薄膜的工藝模型的建立。
3.與設(shè)計、器件、工藝整合等部門的合作，提供基于全工藝流程的工藝仿真接口。
4.完成研究院在存儲器方面相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)的布局，如申報科技項目、申請專利、發(fā)表文章等。
任職要求:
1.微電子、凝聚態(tài)物理、物理電子學(xué)等相關(guān)專業(yè)，碩士及以上學(xué)歷，具有扎實的固體物理、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)，2年及以上相關(guān)工作經(jīng)驗。
2.熟練使用半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計軟件（Sentaurus TCAD、Silvaco等）。
3.熟悉CMOS器件（其他半導(dǎo)體器件也可以）先進(jìn)技術(shù)節(jié)點，例如28nm、14nm、7nm的工藝制造流程。
工作地點
北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)
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職位發(fā)布者
王雅璇/HR
三日內(nèi)活躍立即溝通
北京超弦存儲器研究院北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學(xué)研合作平臺，研究院聚焦國際先進(jìn)的存儲器技術(shù)研發(fā)和高端人才培養(yǎng)，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術(shù)的持續(xù)迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術(shù)創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術(shù)的尺寸微縮，在DRAM新架構(gòu)、新材料、新工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)光刻技術(shù)、近存計算和高帶寬存儲等領(lǐng)域，對未來DRAM量產(chǎn)技術(shù)可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設(shè)計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、銦鎵鋅氧場效應(yīng)晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結(jié)構(gòu)的存儲器制造技術(shù)；基于混合鍵合技術(shù)的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內(nèi)計算等芯片的設(shè)計和制造；以及先進(jìn)DRAM制造中的關(guān)鍵光刻技術(shù)和設(shè)計技術(shù)方法學(xué)研究等。研究院擁有12英寸先進(jìn)DRAM研發(fā)所需的硬件條件，包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎(chǔ)工藝和一系列由特種裝備構(gòu)成的短流程特色工藝；設(shè)計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設(shè)計研發(fā)經(jīng)驗的技術(shù)團(tuán)隊。研究院與清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所等國內(nèi)外領(lǐng)先的高校院所和集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系，開展基于項目的研發(fā)合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作，為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓(xùn)平臺。
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