崗位職責(zé):
1.主要負(fù)責(zé)功率SiC/IGBT產(chǎn)品(包括車規(guī),工業(yè))的測(cè)試開(kāi)發(fā)以及工程管理。
2.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品測(cè)試規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化制定和優(yōu)化以及協(xié)同測(cè)試開(kāi)發(fā)工程,應(yīng)用工程對(duì)測(cè)試硬件和機(jī)臺(tái)的開(kāi)發(fā),并對(duì)CP測(cè)試,F(xiàn)T測(cè)試,可靠性電性能測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,總結(jié)。負(fù)責(zé)測(cè)試的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化定義:包含雙脈沖,短路,Ls,靜態(tài)等的測(cè)試條件定義,測(cè)試方法定義
任職要求:
1.學(xué)歷專業(yè):電子工程,微電子,電子信息技術(shù)及相關(guān)理工類專業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)以上
2.工作經(jīng)驗(yàn):2年半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和測(cè)試經(jīng)驗(yàn),具備碳化硅功率半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
3.知識(shí)技能:熟悉SiC SBD/MOSFET 等工藝,器件性能概念及測(cè)試,熟練掌握功率器件特性測(cè)試和測(cè)試原理以及數(shù)據(jù)分析。會(huì)使用JMP, Minitab, Origin等
4.素質(zhì):熟悉IGBT,SiC等功率器件測(cè)試技術(shù)。具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書(shū)面表達(dá)能力。