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更新于 6月7日

TD 芯片測(cè)試工程師(J10521)

1.5-3萬·15薪
  • 武漢江夏區(qū)
  • 1-3年
  • 本科
  • 全職
  • 招2人

職位描述

芯片測(cè)試
崗位職責(zé):
1.主要負(fù)責(zé)功率SiC/IGBT產(chǎn)品(包括車規(guī),工業(yè))的測(cè)試開發(fā)以及工程管理。
2.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品測(cè)試規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化制定和優(yōu)化以及協(xié)同測(cè)試開發(fā)工程,應(yīng)用工程對(duì)測(cè)試硬件和機(jī)臺(tái)的開發(fā),并對(duì)CP測(cè)試,F(xiàn)T測(cè)試,可靠性電性能測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,總結(jié)。負(fù)責(zé)測(cè)試的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化定義:包含雙脈沖,短路,Ls,靜態(tài)等的測(cè)試條件定義,測(cè)試方法定義
任職要求:
1.學(xué)歷專業(yè):電子工程,微電子,電子信息技術(shù)及相關(guān)理工類專業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)以上
2.工作經(jīng)驗(yàn):2年半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)和測(cè)試經(jīng)驗(yàn),具備碳化硅功率半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
3.知識(shí)技能:熟悉SiC SBD/MOSFET 等工藝,器件性能概念及測(cè)試,熟練掌握功率器件特性測(cè)試和測(cè)試原理以及數(shù)據(jù)分析。會(huì)使用JMP, Minitab, Origin等
4.素質(zhì):熟悉IGBT,SiC等功率器件測(cè)試技術(shù)。具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書面表達(dá)能力。

工作地點(diǎn)

江夏區(qū)長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目

職位發(fā)布者

方先生/HR

三日內(nèi)活躍
立即溝通
公司Logo安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司
安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司(長(zhǎng)飛先進(jìn))是一家專注于碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的IDM企業(yè),具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng),可提供650V—3300V SiC、SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品,廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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