職位描述
芯片測(cè)試模塊測(cè)試
崗位職責(zé):
1.負(fù)責(zé)SiC/IGBT模塊產(chǎn)品的性能開發(fā)工作；
2.評(píng)估產(chǎn)品市場(chǎng)工程師,產(chǎn)品應(yīng)用工程師對(duì)功率模塊產(chǎn)品的性能開發(fā)需求，分析并進(jìn)行技術(shù)拆解，包含電性能，熱性能，可靠性,SOA等；
3.同封裝開發(fā)，測(cè)試開發(fā)，可靠性工程師共同制定產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)技術(shù)文檔：包含BOM選型，工藝開發(fā)，測(cè)試方案，可靠性測(cè)試評(píng)估；
4.跟蹤新產(chǎn)品項(xiàng)目開發(fā)進(jìn)度，跟進(jìn)流片，封測(cè)以及主導(dǎo)特性測(cè)試等活動(dòng)，參與項(xiàng)目各階段的技術(shù)評(píng)審，并維護(hù)產(chǎn)品信息數(shù)據(jù)庫(kù)；
5.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品測(cè)試規(guī)范的制定和優(yōu)化以及協(xié)同測(cè)試開發(fā)工程，應(yīng)用工程對(duì)測(cè)試硬件和機(jī)臺(tái)的開發(fā)，并對(duì)CP測(cè)試、KGD測(cè)試、WLBI測(cè)試、FT測(cè)試、可靠性電性能測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，總結(jié)；
6.負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)室模塊產(chǎn)品特性測(cè)試的產(chǎn)品化定義：包含雙脈沖，短路，Ls,靜態(tài)、熱阻、UIS、絕緣等的測(cè)試條件定義，測(cè)試方法定義；
7.撰寫SiC模塊產(chǎn)品手冊(cè)以及特性測(cè)試報(bào)告；
8.配合產(chǎn)品市場(chǎng)以及其他相關(guān)部門對(duì)樣品的測(cè)試需求,評(píng)估測(cè)試方案以及完成最終測(cè)試；
任職要求:
1.學(xué)歷專業(yè)：本科及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體、電力電子、通信、微電子、材料、化學(xué)、物理等專業(yè)相關(guān)專業(yè)；
2.工作經(jīng)驗(yàn)：3年及以上功率器件產(chǎn)品開發(fā)工程師或產(chǎn)品工程師或測(cè)試工程師等相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)；
3.知識(shí)技能：熟悉功率器件MOSFET/DIODE特性測(cè)試原理及方法，掌握靜態(tài)及動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備的使用，如1505/1506等。掌握J(rèn)MP或MINITAB等數(shù)據(jù)處理軟件，熟悉功率器件產(chǎn)品開發(fā)流程；掌握MSA工具運(yùn)用
4.素質(zhì)：熟悉office/WPS辦公軟件，良好的溝通協(xié)調(diào)能力和書面表達(dá)能力，具有較強(qiáng)的承壓能力以及清晰的邏輯，能針對(duì)異常情況及時(shí)反應(yīng)；良好的英語(yǔ)讀寫能力。
工作地點(diǎn)
江夏區(qū)長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢有限公司-東1門
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長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體(武漢)有限公司長(zhǎng)飛先進(jìn)是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的企業(yè)，具備從外延生長(zhǎng)、器件與模塊設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。公司擁有國(guó)內(nèi)一流的6英寸產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，可提供從工業(yè)級(jí)到車規(guī)級(jí)的SiC SBD、MOSFET全系列產(chǎn)品，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。
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