崗位職責(zé):
1.主導(dǎo)紅外探測器材料(如銻化鎵、磷化銦、銻化銦、硅等)的研磨、拋光工藝研發(fā),設(shè)計(jì)并優(yōu)化工藝參數(shù),提升產(chǎn)品性能和良率;
2.深度掌握產(chǎn)線全流程工藝(如光刻、鍍膜、刻蝕、劃片、倒裝互聯(lián)、測試等),結(jié)合上下游工藝協(xié)同解決技術(shù)難點(diǎn)(如應(yīng)力匹配、表面污染控制等);
3.制定標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)流程,指導(dǎo)助理工程師完成日常工藝操作,在其遇到技術(shù)瓶頸時(shí)主動(dòng)介入分析根本原因并提出解決方案;
4.負(fù)責(zé)維護(hù)、保養(yǎng)研磨拋光設(shè)備(如研磨機(jī)、CMP設(shè)備等),
5.編寫研發(fā)文檔(如工藝標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)白皮書、專利申報(bào)材料、實(shí)驗(yàn)報(bào)告及技術(shù)文檔等),確保技術(shù)成果的可追溯性和可復(fù)制性;
6.研發(fā)新技術(shù)與新工藝(如超精密拋光、無損檢測等),主導(dǎo)DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及數(shù)據(jù)驗(yàn)證,推動(dòng)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化;
7.跟蹤國際前沿技術(shù)動(dòng)態(tài),閱讀并解讀英文文獻(xiàn)、專利及行業(yè)報(bào)告,提煉創(chuàng)新方向;
8.協(xié)同測試、質(zhì)量、廠務(wù)等部門,推動(dòng)工藝標(biāo)準(zhǔn)化及跨部門技術(shù)協(xié)作。
招聘要求:
一、學(xué)歷與專業(yè):
1.碩士研究生及以上學(xué)歷,材料科學(xué)、微電子、半導(dǎo)體物理、光學(xué)工程、機(jī)械制造等相關(guān)專業(yè)(應(yīng)屆生可投,需具備半導(dǎo)體材料或工藝研究背景);
2.本科學(xué)歷需具備2-3年以上半導(dǎo)體/光學(xué)元件研磨拋光領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn),熟悉CMP工藝或超精密加工技術(shù)者優(yōu)先。
二、專業(yè)技能:
1.精通半導(dǎo)體材料特性及研磨拋光核心工藝(如CMP、超精密加工),掌握關(guān)鍵設(shè)備(如研磨機(jī)、拋光機(jī)、測厚儀)操作與調(diào)試;
2.了解紅外探測器工作原理及光學(xué)元件表面粗糙度、面型精度等關(guān)鍵指標(biāo),熟悉紅外探測器全工藝流程,能系統(tǒng)性分析工藝間交互影響(如研磨精度對鍍膜均勻性的影響);
3.熟練使用SEM、AFM、白光干涉儀等檢測設(shè)備進(jìn)行表面質(zhì)量分析。
4.具備英文文獻(xiàn)閱讀能力(CET-4或同等水平),能快速理解技術(shù)資料并應(yīng)用于研發(fā)實(shí)踐。
三、經(jīng)驗(yàn)要求:
1.有半導(dǎo)體晶圓、紅外材料加工經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
2.參與過工藝改進(jìn)項(xiàng)目或具備DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)能力者優(yōu)先。
四、軟性素質(zhì):
研發(fā)導(dǎo)向:目標(biāo)清晰,具備技術(shù)前瞻性,能獨(dú)立制定研發(fā)計(jì)劃并推動(dòng)落地;
嚴(yán)謹(jǐn)心細(xì):對工藝細(xì)節(jié)敏感,嚴(yán)格遵循研發(fā)規(guī)范,確保數(shù)據(jù)真實(shí)性和可重復(fù)性。
崗位待遇:
1、入職即繳納社保及公積金;
2、雙休,節(jié)假日按照法定休息;
3、入職滿1年可享7天帶薪年假/年;
4、節(jié)假日福利禮包;
5、科研型企業(yè),氛圍良好。